概要 [三元同時反応性スパッタリング法]

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概要 ^[1]

スパッタリング法とはチャンバー中に設置した基板とターゲット（成膜したい物質）との間に高い電圧をかけ、チャンバー中のガスをイオン化し、ターゲットに衝突させてはじき飛ばされた物質を基板に成膜させる方法である。

このスパッタリング法によって、三つの物質を同時にはじき飛ばし、雰囲気中のガスと反応させて目的の物質を作製する方法が、三元同時反応性スパッタリング法である。

Last-modified: 2016-03-20 (日) 20:27:26 (JST) (2960d) by kondo

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